共基极放大电路
共基极的放大电路，如图1所示，
图1 共基极放大电路
主要应用在高频放大或振荡电路，其低输入阻抗及高输出阻抗的特性也可作阻抗匹配用。电路特性归纳如下：
输入端（eb之间）为正向偏压，因此输入阻抗低（约20～200）
输出端（cb之间）为反向偏压，因此输出阻抗高（约100k～1m）。
电流增益：
虽然ai小于1，但是rl/ri很大，因此电压增益相当高。
功率增益：
由于ai小于1，所以功率增益不大。
共发射极放大电路
共发射极的放大电路，如图2所示。
图2 共发射极放大电路
因具有电流与电压放大增益，所以广泛应用在放大器电路。其电路特性归纳如下：
输入与输出阻抗中等（ri约1k～5k；ro约50k）。
电流增益：
电压增益：
负号表示输出信号与输入信号反相（相位差180°）。
功率增益：
功率增益在三种接法中最大。
共集电极放大电路
共集电极放大电路，如图3所示，
图3 共集电极放大电路
高输入阻抗及低输出阻抗的特性可作阻抗匹配用，以改善电压信号的负载效应。其电路特性归纳如下：
输入阻抗高（ri约20k）；输出阻抗低（ro约20）。
电流增益：
电压增益：
电压增益等于1，表示射极的输出信号追随着基极的输入信号，所以共集极放大器又称为射极随耦器（emitterfollower）。功率增益ap=ai×av≈β，功率增益低。
三极管三种放大电路特性比较
晶体管接法电流增益电压增益输入阻抗输出阻抗应用电路共发射极β》1aν＞1
反相放大中中高信号放大器共基极α≤1
最小aν＞1
最大最低最高高频电路
高频响应好共集电极γ＞1
最大aν≤1
最小最高最低阻抗匹配
射极跟随器
共发射极放大电路偏压
图4 自给偏压方式
又称为基极偏压电路，最简单的偏压电路，稳定性差，容易受β值的变动影响，温度每升高10℃时，逆向饱和电流ico增加一倍。温度每升高1℃时，基射电压vbe减少2.5mv，β随温度升高而增加(影响最大)。
图5 带电流反馈的基极偏压方式
三极管发射极加上电流反馈电阻，特性有所改善，但还是不太稳定。
图6 分压式偏置电路
此为标准低频信号放大原理图电路，其r1（下拉电阻）及r2为三极管偏压电阻，为三极管基极提供必要偏置电流,r3为负载电阻，r4为电流反馈电阻（改善特性），c3为旁路电容，c1及c3为三极管输入及输出隔直流电容（直流电受到阻碍）,信号放大值则为r3/r4倍数.设计上注意:三极管ft值需高于信号放大值与工作频率相乘积,选择适当三极管集电极偏压、以避免大信号上下顶部失真,注意c1及c3的容量大小对低频信号(尤其是脉波)有影响.在r4并联一个c2，放大倍数就会变大。而在交流时c2将r4短路。
为什么要接入r1及r4?
因为三极管是一种对温度非常敏感的半导体器件，温度变化将导致集电极电流的明显改变。温度升高，集电极电流增大；温度降低，集电极电流减小。这将造成静态工作点的移动，有可能使输出信号产生失真。在实际电路中，要求流过r1和r2串联支路的电流远大于基极电流ib。这样温度变化引起的ib的变化，对基极电位就没有多大的影响了，就可以用r1和r2的分压来确定基极电位。采用分压偏置以后，基极电位提高，为了保证发射结压降正常，就要串入发射极电阻r4。
r4的串入有稳定工作点的作用。如果集电极电流随温度升高而增大，则发射极对地电位升高，因基极电位基本不变，故ube减小。从输入特性曲线可知，ube的减小基极电流将随之下降，根据三极管的电流控制原理，集电极电流将下降，反之亦然。这就在一定程度上稳定了工作点。分压偏置基本放大电路具有稳定工作点的作用，这个电路具有工作点稳定的特性。当流过r1和r2串联支路的电流远大于基极电流ib（一般大于十倍以上）时，可以用下列方法计算工作点的参数值
